Prof.ssa LUCIANA DI GASPARE

QualificaProfessore Associato
Settore Scientifico DisciplinarePHYS-03/A
Cellulare aziendale82027
Emailluciana.digaspare@uniroma3.it
IndirizzoVia della Vasca Navale 79
Struttura/Afferenza
  • Dipartimento di Scienze
Altre informazioniSito web personale
Curriculum
foto profilo
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Profilo INSEGNAMENTI Prodotti della ricerca Avvisi Ricevimento e materiale didattico

Profilo

Titoli e cariche

Membro della Commissione Didattica permanente di Ottica e Optometria e fisica della materia Vicario del Coordinatore della Commissione didattica permanente in Ottica e Optometria Membro della Commissione Orientamento

Didattica

 Fisica dei Solidi e delle nanostrutture (Modulo nanostrutture)

 Fisica sperimentale 1 per il corso di Scienze Geologiche

 Laboratorio di Calcolo per l'Ottica

 Ottica della Visione.

Ricerca

L'attività di ricerca di Luciana Di Gaspare si è focalizzata su diversi campi della fisica della materia condensata, con contributi innovativi in campi quali la crescita epitassiale di eterostrutture di semiconduttori IV-IV di alta qualità mediante deposizione chimica in fase di vapore, studio del trasporto quantistico in dispositivi a bassa dimensionalità, proprietà ottiche, elettroniche e strutturali di interfacce ed eterostrutture di semiconduttori mediante spettroscopie di fotoemissione e tecniche di diffrazione, grafene su sistemi Ge. Ha una competenza rilevante nel campo della progettazione e sviluppo di apparati di crescita CVD. Dal 2000 la sua attività di ricerca è principalmente legata alla crescita di eterostrutture SiGe/Si mediante UHV-CVD per la realizzazione di buche quantiche, 2DEG, nanodispositivi nonché allo studio delle loro proprietà ottiche e di magnetotrasporto. Negli ultimi 4 anni si è principalemente focalizzata sulla crescita di eterostrutture di SiGe ad alto contenuto di Ge e sulla loro caratterizzazione strutturale ed ottica per lo sviluppo di un laser a cascata quantica basato su Si operante nella gamma dei THz. Un campo di ricerca parallelo sviluppato di recente riguarda la crescita CVD del Grafene su Ge, attività dedicata allo studio dell'impatto della temperatura di crescita, del flusso precursore di CH4 e dell'orientamento del substrato di Ge sulla qualità del film di grafene.